磷化銦 (InP) 半導體材料和砷化鎵材料相比具有高的電光轉換效率, 高的電子遷移率, 高的工作溫度, 以及強抗輻射能力的特點. 目前正在大力發展的 5G 行動網絡, 給 InP 襯底材料帶來巨大的市場前景.
InP 是一種比 GaAs 更先進的半導體材料, 在光纖通信, 毫米波和無線應用等方面具有明顯的優勢. 雖然同屬 Ⅲ-Ⅴ 族化合物, GaAs 發展較早且相對價格便宜, 而 InP 雖然起步晚卻有迅速發展的潛力.
兩大應用領域擁有關鍵優勢, 1) 光子領域: 波長為 1000nm 以上的發射和探測能力. 2) 射頻領域: 高頻 RF 應用中的高速和低噪聲性能. InP 是軍事通信, 雷達和輻射測量等性能驅動型利基市場以及自動測試設備的首選.
目前 InP 晶圓市場真正的增長是在光子應用領域. 隨著 5G 的快速發展和數據通信業務的迅猛增長, InP 晶圓和外延片的需求都將快速提升. 根據 Yole 測算數據 2018~2024 InP 市場的複合年增長率為 14%.
基於 InP 的光子 IC 被廣泛研究, 用於製造發射或探測光纖通信元件. 採用 InP 製造的雷射器, 光電二極體和波導管能夠以玻璃光纖的最佳傳輸窗口工作, 從而可實現高效的光纖通信. Intel 近年則是大力推動矽光子通訊.
目前全世界只有美國 AXT, 日本 SUMITOMO, 英國 WAFER TECH 和法國 INP ACT 少數幾家公司能夠滿足未來對大尺寸晶體襯底的要求. 磊晶部分台灣有 "因特磊" (InP 占 3x%) , "全新" (GaAs 為主), "聯亞" (光通訊) 等.
InP 是一種比 GaAs 更先進的半導體材料, 在光纖通信, 毫米波和無線應用等方面具有明顯的優勢. 雖然同屬 Ⅲ-Ⅴ 族化合物, GaAs 發展較早且相對價格便宜, 而 InP 雖然起步晚卻有迅速發展的潛力.
兩大應用領域擁有關鍵優勢, 1) 光子領域: 波長為 1000nm 以上的發射和探測能力. 2) 射頻領域: 高頻 RF 應用中的高速和低噪聲性能. InP 是軍事通信, 雷達和輻射測量等性能驅動型利基市場以及自動測試設備的首選.
目前 InP 晶圓市場真正的增長是在光子應用領域. 隨著 5G 的快速發展和數據通信業務的迅猛增長, InP 晶圓和外延片的需求都將快速提升. 根據 Yole 測算數據 2018~2024 InP 市場的複合年增長率為 14%.
基於 InP 的光子 IC 被廣泛研究, 用於製造發射或探測光纖通信元件. 採用 InP 製造的雷射器, 光電二極體和波導管能夠以玻璃光纖的最佳傳輸窗口工作, 從而可實現高效的光纖通信. Intel 近年則是大力推動矽光子通訊.
目前全世界只有美國 AXT, 日本 SUMITOMO, 英國 WAFER TECH 和法國 INP ACT 少數幾家公司能夠滿足未來對大尺寸晶體襯底的要求. 磊晶部分台灣有 "因特磊" (InP 占 3x%) , "全新" (GaAs 為主), "聯亞" (光通訊) 等.
聯亞光電二廠年底投產 搶搭5G順風車
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〈英特磊法說〉看好5G需求 全年維持營收年增1成目標
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《半導體》資料庫中心及光通訊需求增溫，環宇-KY營運不看淡
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日本研发出6G芯片：单载波速度高达100Gbps
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