Q4 記憶體產業市況掃描

 展望第四季除 server 外的其他產品包括 PC, mobile 及 graphics DRAM 需求仍將維持穩健; 然而在 server 端庫存調整的情況下, server DRAM的拉貨力道較難復甦, 並將持續壓抑整體 DRAM 報價, 因此仍將呈現量增價跌的走勢, 整體 DRAM 產值較無明顯變化.

展望第四季 server 端客戶仍延續庫存去化策略, 採購動能持續疲弱,  加上華為禁令衍生的備貨動能消退,  儘管有中國智慧型手機品牌加大備貨力道, 及 Apple  新機上市挹注, 仍無法擺脫供過於求態勢. 預期第四季 NAND Flash 總產值仍將衰退.

我們認為 4Q 整體記憶體價格仍然會處在下行通道, 但各應用表現有所不同: 盡管目前我們已經看到雲客戶的採購意願有所回升, 但由於上半年的過度拉貨, 企業伺服器整體的需求與銷量仍然呈現疲軟, 我們認為伺服器 DRAM 價格 4Q 會延續下跌態勢; PC/智慧手機方面需求壓力較小, 價格有望逐步走穩.

對明年記憶體行業的保持樂觀判斷, 且整體 DRAM 的供需情況將優於 NAND, 1Q21 有望看到部分品類價格出現反轉. 今年 NAND 投資額增速跑贏整個晶圓制造設備(WFE) 市場, 而 DRAM 相關投資偏保守, 智慧手機 BOM 壓力會持續對 NAND 需求造成一定影響.

我們認為 DRAM 合約價或於 1Q21 觸底, 伺服器庫存去化已持續近兩個季度, 預計將於 1Q21 結束, 同時 Intel 新款 Server CPU 的推出 (2Q21) 亦將拉升 1Q21 的備貨需求. 當前 PC出貨動能仍維持高位, 21 年智慧機出貨將迎來低基期效應下反彈.

歷史上 DRAM 與 NAND 價格整體呈連動態勢, 然 21 年二者價格或將迎來分化, 因 NAND 供給格局較差且大陸長江存儲影響力漸顯, 近期海力士整併 Intel NAND 業務即是產業盈利欠佳及競爭加劇的直接反應. 總體來看 21 年 NAND 位元供需並無缺口.

總體來看 21 年 DRAM 位元供需缺口將達 4% (需求增速 21.5%-供給增速 17.6%); 同時三星, 海力士與美光三大原廠並無主動擴充產能意願, 當前仍以獲利為導向; 此外大陸合肥長鑫仍面臨良率及可能的專利問題, 中短期還無法對產業供給形成實質性貢獻.