關注電子化學品看光刻膠 (光阻劑) 行業

光刻膠是由感光樹脂, 增感劑和溶劑等主要成分組成的對光敏感的混合液體. 在紫外光, 深紫外光, 電子束, 離子束等光照或輻射下, 其溶解度發生變化, 經適當溶劑處理, 溶去可溶性部分, 最終得到所需圖像.

現代電子電路越發向細小化集成化方向發展, 隨著對線寬的不同要求, 光刻膠的配方有所不同, 但應用相同都是用於微細圖形的加工, 下游行業主要分為 PCB 光刻膠, 面板光刻膠, 半導體光刻膠.

從全球範圍來看 2015 年數據顯示 LCD 光刻膠市占率 26.6%為最高, PCB 光刻膠 24.5%的市場份額位居第二, 半導體光刻膠市占率 24.1%位於第三.  中國光刻膠產品主要集中在低端 PCB 光刻膠.

IC 光刻工藝是指利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構, 然後通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在矽晶圓上. 利用光刻膠感光後因光化學反應而形成耐蝕性的特點, 將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上.

世界晶片工藝水平已跨入奈米級別, 光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至  g 線 (436nm), i 線 (365nm), KrF (248nm),  ArF (193nm), F2 (157nm), 以及最先進的 EUV (<13.5nm) 線水平. 其中 g 線和 i 線光刻膠的市場份額最大.

專用化學品與半導體光刻膠的市場規模基本保持同比例變動. 2017 年半導體光刻膠需求量較 2016 年增長 7~8%, 達到 12 億美元的市場規模. 隨著下游功率半導體, 傳感器, MCU 等需求擴大, 未來光刻膠市場將持續擴大.

TFT-LCD 的制程可分為三個步驟: 陣列制程, 組立制程, 模組制程, 最後就是我們看到的產品. 其中陣列制程工序分堅膜, 清洗, 曝光, 顯影, 蝕刻, 脫膜, 檢測等工序. 其中光刻膠為 LCD 生產的核心之一.

面板光刻膠在 LCD 的加工中主要用於制作顯示器像素, 電極, 障壁, 熒光粉點陣等. 為了制作大屏幕, 高解析度平板顯示器, 需要重覆絲印十幾次才可以達到幾十微米至一百微米以上的厚度, 精度誤差大要通過光刻技術來實現.

PCB 光刻膠主要分為乾膜光刻膠, 濕膜光刻膠和阻焊油墨, 其中乾膜光刻膠被廣泛使用在 PCB 製造過程中. 將乾膜光刻膠壓合在銅箔基板上, 通過曝光, 顯影將底片上的線路圖形複製在乾膜光刻膠上, 經過蝕刻加工成精密銅線路.

由於光刻膠主要由單體, 光引發劑, 成膜樹脂等化學品組成, 因此 PCB 光刻膠的生產企業也可以在提高化學品品質或採用不同成膜樹脂的情況下, 向高附加值的 LCD 光刻膠以及晶片制造光刻膠進行延伸.

概念股有 "長興" (亞洲最大合成樹脂廠/全球最大乾膜光阻劑供應商),"達興" (友達與長興合資/LCD 相關材料), "永光" (亞洲最大染料廠/色料化學品/特用化學品/碳粉), "勝一" (台灣第二大溶劑廠/貿易) 等.