手機射頻前端去美化的機會

Yole Development 報告預測行動設備以及 WiFi 連接部分整體射頻前端市場規模將從 2017~2023 的 CAGR達到 14%. 其中作為射頻前端最大市場的濾波器從 2017~2023 年將增長 3 倍左右, CAGR達到 19%.

電子遷移率的大小直接決定了該半導體材料是否適用於更高頻波段 (如 GaAs 被廣泛的應用於 PA 和 LNA). 其次是半導體材料的擊穿場強, 直接決定了器件工作時候的功率密度. (如 GaN HEMT 被廣泛的應用於通訊基站).

射頻開關市場的增長主要來自 4x4 MIMO 新增射頻路徑對分集開關的需求, 以及天線和頻段增加對天線開關的需求. 目前射頻開關主要基於 RF-SOI 工藝, 由於目前 RF SOI 產能供不應求, 有利於 SOI 代工廠.

CMOS PA 由於參數性能的影響, 只用於低端市場. CMOS PA 最大的優勢是制造成本較低, 易於與傳統的 Si 基數字電路進行集成. 中國的漢天下為全球最大的 CMOS PA 供應商, 已經打入三星等手機供應鏈.

從 3G 時代起由於擊穿電壓, 輸出功率等優勢, GaAs 材料代替 CMOS 材料成為 PA 市場主流材料. GaAs 材料是目前生產量最大, 應用最廣泛, 也是最重要的化合物半導體材料, 是僅次於矽的半導體材料.

氮化鎵在微波領域的優勢為更高效率,  降低功耗, 節省電能, 降低散熱成本, 降低總運行成本. 更大的寬帶提高信息攜帶量, 用更少的器件實現多頻率覆蓋, 降低客戶產品成本. 也適用於擴頻通信, 電子對抗等領域. 

LNA 是接收信號功率放大的核心器件. 2018 LNA 前五大龍頭 Broadcom, ON Semiconductor, Infineon, TI, NXP 的相關營收占全市場 52%, 遠低於射頻開關前五大公司營收占比的 82%, 相對於射頻開關市場格局較為分散.

2018 全球 SAW 濾波器市場份額前五位的廠商分別為 Murata, TDK, Taiyo Yuden, Skyworks, Qorvo 合計占比達 95%. BAW/FBAR 市場基本被 Broadcom, Qorvo 壟斷. Broadcom 主要為 FBAR, 而 Qorvo 主要為 SMR.